Samsung, 300+ Katmanlı V-NAND'ın 2024'e Doğru Yolda Olduğunu Söyledi - Dünyadan Güncel Teknoloji Haberleri

Samsung, 300+ Katmanlı V-NAND'ın 2024'e Doğru Yolda Olduğunu Söyledi - Dünyadan Güncel Teknoloji Haberleri
uçucu hafızanın yanı sıra rakiplerin 3D NAND hafızasından daha aktif katmanlara sahip olacağı da iddia ediliyor

Performans açısından Samsung’un 9 Nesil V-NAND belleğini üretme yolunda ilerlediğini doğrulayarak, sektördeki en fazla aktif katmana sahip olacağını söyledi Şimdiye kadar SK Hynix’in yeni nesil 3D NAND’ının 321 aktif katmana sahip olacağını biliyoruz, bu nedenle Samsung’un belleğinin daha fazlasına sahip olmasını beklediği anlaşılıyor Samsung, yalnızca yeni nesil non-nand ile yolda olduğunu doğrulamakla kalmadı

Ağustos ayında Samsung’un, 2020’de Samsung tarafından ilk kez benimsenen çift istifleme teknolojisini koruyacak olan 300’den fazla katmana sahip 9

Samsung Electronics Bellek İşleri Başkanı ve Başkanı Jung-Bae Lee şunları yazdı: “Dokuzuncu nesil V-NAND, çift yığınlı yapıya dayanan endüstrinin en yüksek katman sayısıyla gelecek yılın başında seri üretime geçiyor ” bir blog yazısı

Dünyanın en büyük NAND belleği tedarikçisi olan Samsung’un, bu hafta bir kısmını paylaştığı V-NAND’ı (şirketin 3D NAND adını verdiği şey) geliştirmek için büyük planları var Şirket, 2024 yılında 300’den fazla katmana sahip 9 Nesil V-NAND üzerinde çalıştığını öğrendik

Uzun vadeli teknolojik yenilikler söz konusu olduğunda Samsung, sektördeki en küçük hücre boyutlarına ulaşmasını sağlayacak şekilde hücre girişimini en aza indirmeye, yüksekliği azaltmaya ve dikey katman sayısını maksimuma çıkarmaya kararlıdır Nesil V-NAND’ından ne bekleyebileceğimizi bilmiyoruz ancak şirketin bu belleği gelecek SSD’leri için kullanacağından eminiz Şirket, gelecek flash bellek türlerinin yalnızca depolama yoğunluğunu değil aynı zamanda performansı da artırmasını bekliyor Belki de bu, şirketin şu anda en iyi SSD’ler arasında yer alan Samsung 990 Pro serisinin halefleri olan PCIe Gen5 arayüzüne sahip perakende SSD’lerini göreceğimiz zamandır

Artan katman sayısı, Samsung’un 3D NAND cihazlarının depolama yoğunluğunu artırmasına olanak tanıyacak Bu yenilikler, Samsung’un 1000’den fazla katmana sahip 3D NAND ve son derece farklılaştırılmış bellek çözümleri yaratma vizyonunu ilerletmede ve şirketin tekliflerinin veri merkezleri, bilgisayarlar ve diğer uygulamalar için uygun kalmasını sağlamada etkili olacak

Jung-Bae Lee, “Samsung aynı zamanda V-NAND’ın giriş/çıkış (I/O) hızını maksimuma çıkaran yeni bir yapı da dahil olmak üzere yeni nesil değer yaratan teknolojiler üzerinde çalışıyor” dedi